類(lèi)型 | 描述 |
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封裝/外殼 | Module |
安裝類(lèi)型 | Chassis Mount |
配置 | 4 N-Channel (Full Bridge) |
工作溫度 | -40°C ~ 175°C (TJ) |
技術(shù) | Silicon Carbide (SiC) |
功率 - 最大值 | 1.277kW (Tc) |
漏源電壓(Vdss) | 700V |
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id) | 464A (Tc) |
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值) | 18000pF @ 700V |
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值) | 4.8mOhm @ 160A, 20V |
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值) | 860nC @ 20V |
FET 功能 | - |
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值) | 2.4V @ 16mA |
供應(yīng)商器件封裝 | - |
屬性 | 描述 |
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RoHS 狀態(tài) | 符合ROHS3 |
濕氣敏感性等級(jí) (MSL) | 1(無(wú)限) |
REACH 狀態(tài) | 非 REACH 產(chǎn)品 |
ECCN | EAR99 |
HTSUS | 8541.29.0095 |