類型 | 描述 |
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封裝/外殼 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
安裝類型 | Surface Mount |
工作溫度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
技術(shù) | MOSFET (Metal Oxide) |
FET 類型 | N-Channel |
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id) | 195A (Tc) |
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值) | 1.6mOhm @ 100A, 10V |
FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 294W (Tc) |
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值) | 3.9V @ 250μA |
供應(yīng)商器件封裝 | D2PAK |
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V |
Vgs(最大值) | ±20V |
漏源電壓(Vdss) | 40 V |
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值) | 324 nC @ 10 V |
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值) | 10820 pF @ 25 V |
屬性 | 描述 |
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RoHS 狀態(tài) | 符合ROHS3 |
濕氣敏感性等級(jí) (MSL) | 1(無(wú)限) |
REACH 狀態(tài) | 非 REACH 產(chǎn)品 |
ECCN | EAR99 |
HTSUS | 0000.00.0000 |