FET 類型 | P 通道 |
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技術(shù) | MOSFET(金屬氧化物) |
漏源電壓(Vdss) | 30V |
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)) | 4.3A(Ta) |
驅(qū)動(dòng)電壓(更大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V |
不同 Id,Vgs 時(shí)的 Rds On(更大值) | 48 毫歐 @ 4.3A,10V |
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(更大值) | 2.4V @ 250?A |
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)(更大值) | 20nC @ 10V |
Vgs(更大值) | ±20V |
不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(更大值) | 520pF @ 15V |
FET 功能 | - |
功率耗散(更大值) | 1.4W(Ta) |
工作溫度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安裝類型 | 表面貼裝型 |
供應(yīng)商器件封裝 | SOT-23-3 |
封裝/外殼 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
類型 | 描述 |
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封裝/外殼 | 3-SMD, SOT-23-3 Variant |
安裝類型 | Surface Mount |
工作溫度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
技術(shù) | MOSFET (Metal Oxide) |
FET 類型 | N-Channel |
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id) | 3.8A (Ta) |
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值) | 55mOhm @ 3.8A, 10V |
FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 1.4W (Ta) |
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值) | 1.5V @ 250μA |
供應(yīng)商器件封裝 | SOT-23-3 |
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) | 2.5V, 10V |
Vgs(最大值) | ±12V |
漏源電壓(Vdss) | 30 V |
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值) | 20 nC @ 10 V |
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值) | 235 pF @ 15 V |
屬性 | 描述 |
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RoHS 狀態(tài) | ROHS3 Compliant |
濕氣敏感性等級(jí) (MSL) | 1 (Unlimited) |
REACH 狀態(tài) | Reach unaffected |
ECCN | EAR99 |
HTSUS | 8541.29.0095 |