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由AOS萬國半導體舉辦的“AOS IGBT/IPM/GaN/SiC技術交流高峰論壇于今日(6月23日)召開。本次會議定位于國際前沿技術的深度交流，介紹國際IGBT/IPM的技術前沿，以及SiC/GaN的最新進展，闡述行業發展趨勢，助推產業發展。電力電子行業的專家、企業以及相關產業鏈上下游的各界人士參加了本次會議。

中國半導體行業協會執行副理事長徐小田在致辭中指出，功率半導體不僅涉及到電力電子器件、電力電子裝置、系統控制及其在各個行業的應用等領域，還涉及到相關的半導體材料、電工材料、關鍵結構件、散熱裝置、生產設備、檢測設備等產業，產業鏈長、產業帶動作用巨大，在推進實施《中國制造2025》規劃中具有重大意義，對深入推進制造業結構調整和企業技術改造，實施中國制造強國建設“三步走”的發展戰略提供強大的支撐。在此情況下，發展自主安全可控的功率半導體產業是當務之急。我國非常重視半導體產業，2014年發布《集成電路產業發展推進綱要》對IC產業發展做出了全面的指導。同時，也鼓勵功率半導體產業的發展。

高峰論壇特別邀請了IGBT發明人B.Jayant Baliga教授發表演講。B.Jayant Baliga指出，功率半導體作為一種用于實現電能高效轉換的開關控制電子器件具有開關中低的功率損耗特性，其低的導通壓降導致低的導通損耗、高的開關速度產生低的開關損耗、高的導通電流密度形成小芯片尺寸和低成本，同時它的耐用性使它具備可靠工作的特性。目前，IGBT廣泛應用于消費行業、交通領域、工業領域、可再生能源、照明、電力傳輸、醫療行業、金融行業等。談到寬禁帶半導體功率器件時，B.Jayant Baliga回顧碳化硅功率器件發展進程，指出碳化硅功率器件可以用更短的溝道長度和更小的單元尺寸來實現傳統器件的功能，應用范圍可達：600-6500V/1-1000A。

AOS萬國半導體董事長兼CEO張復興在開幕演講中指出，功率半導體技術不斷進步，朝智能化、集成化、小型化發展。AOS萬國半導體作為一家集設計、開發與銷售為一體的功率半導體全球領先供應商，持續推進技術進步。公司建成14年來，在美國注冊的專利已達600多件。公司采取高技術+薄利多銷的發展策略，從功率半導體到IC設計到晶圓制造，為客戶提供Total Soultion的全面服務。公司全球布局，但對中國市場給予高度重視，在重慶投資建設了12英寸功率半導體芯片制造及封裝測試生產基地。預計基地將于明年3月投入使用。

除此之外，萬國半導體的高管團隊還就最新的技術進展與現場嘉賓進行了深入探討。萬國半導體器件技術副總載Madhur Bobde就“AOS IGBT/FRD發展與歷程”為主題發表演講;萬國半導體產品線副總裁Brain Suh博士的演講主題為“IGBT/SiC/IPM應用”;萬國半導體Wide Bandgap產品總監David Sheridan介紹了“AOS GaN/SiC技術發展歷程”。