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1.還原氧化型它是將高介電 常數基體(BaTiO)、(Sr, Ba) (Ti, Sn) O3等在還原氣氛中還原成半導體，然后在空氣中燒銀，陶瓷表面被氧化形成薄的絕緣層，薄絕緣層作為介質也可獲得大的比體積電容，但由于用這種介質所作的電容器的頻率特性不好，可靠性差，限制了它在高頻方面的應用。

2.晶界層半導體瓷它是將高介電常數基體 (Ba, Sr) TiO3進行施主摻雜改性并在還原或中性氣氛中還原，然后在還原的基體上涂覆金屬氧化物并在空氣中進行熱處理，絕緣氧化物沿晶界擴散，使半導體晶粒表面氧化形成絕緣層。整個陶瓷體的介電常數達800左右，有的高達14000左右，大大提高了比體積電容。用晶界層半導體瓷為介質所制得的電容器稱為晶界層電容器。它不僅具有高比體積電容，而且頻率特性優異，可用于信訊機上作為數千兆赫的寬頻帶耦合電容，此外它的電容溫度系數小，絕緣電阻高，是性能更好的半導體電容器。此后又發現了性能更穩定、電容溫度系數小的SrTiO3系半導體陶瓷電容器。

這類高壓陶瓷電容器已廣泛應用于電視機、 雷達高壓電路及避雷器、斷路器等方面，最近還成功地使用于脈沖氣體激光裝置的電源中，可使設備小型化、高性能化。