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安森美半導體近期推出了新款R系列硅光電倍增管

日期:2020-08-21

本文主要介紹安森美半導體近期推出了新款R系列硅光電倍增管,安森美半導體(ON Semiconductor)近期推出了新款R系列硅光電倍增管(SiPM),提高了電磁波譜紅色和近紅外區域的靈敏度。

硅光電倍增管特性和優勢 :高增益和探測效率,來自獨特的“快速輸出”端子,905nm處的PDE > 10%,單光子靈敏度,1mm傳感器尺寸,并提供各種微型尺寸,緊湊而堅固的MLP封裝,偏置電壓 < 50V,高響應度 > 100kA/W (905nm),超快的上升時間和脈沖寬度,可提供帶SMA連接器或引腳的評估板

硅光電倍增管應用領域 :3D測距和傳感;醫學影像;危險與威脅探測;生物光子學與科學應用;高能物理應用

此次推出的RB系列SiPM傳感器是R系列的最新版本,與之前的RA系列SiPM傳感器相比,可提供更高的光子探測效率和更低的串擾。

安森美半導體RB系列SiPM可在低偏置電壓下實現單光子靈敏度、高響應度和快速信號響應。

該系列光電傳感器采用緊湊而堅固的模塑引線框架封裝(MLP),適用于回流焊工藝。RB系列SiPM及其封裝均針對規模生產而設計,以卷帶形式交付。

RB系列SiPM的主要應用為采用905nm波長的激光雷達(LiDAR)和測距應用。相比雪崩光電二極管(APD)和PIN二極管,該系列SiPM傳感器改善了高增益和單光子靈敏度。

對于激光雷達(LiDAR)應用,這些特性可使LiDAR系統實現低反射率物體的遠距離探測。與運行類似的僅能探測單光子的單光子雪崩二極管(SPAD)不同,SiPM通過“微元(microcell)”結構克服了這一限制,可實現具有高動態范圍的多光子探測。
以上就是安森美半導體近期推出了新款R系列硅光電倍增管,希望對各位有幫助。

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